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首页 > 品牌详情 > FET,MOSFET - 单

系列

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FET通道极性

技术

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漏源电压(Vdss)

连续漏极电流ID(25°C)

驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)

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漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs

栅源极阈值电压(Max)@Id

栅极电荷@Vgs

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栅源极电压Vgs(Max)

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输入电容(Max)@Vds

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FET 功能

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功率耗散(Max)

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工作温度范围

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安装类型

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封装

导通电阻@(Rdson)@10V

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导通电阻@(Rdson)@4.5V

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导通电阻@(Rdson)@2.5V

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导通电阻@(Rdson)@1.8V

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筛选结果: 128
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
GCV3P3NM6BL
GCV3P3NM6BL
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GCV3P3NM6BL

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国产

对比

Grecon(翠展微电子)

D2PAK

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D2PAK

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GCV3P3NM6DL
GCV3P3NM6DL
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GCV3P3NM6DL

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国产

对比

Grecon(翠展微电子)

DPAK

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DPAK

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GCV3P3NM6FL
GCV3P3NM6FL
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GCV3P3NM6FL

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国产

对比

Grecon(翠展微电子)

TO220

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TO220

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GCV3P3NM6TL
GCV3P3NM6TL
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GCV3P3NM6TL

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国产

对比

Grecon(翠展微电子)

TO247

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TO247

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GCV5P5NM6BL
GCV5P5NM6BL
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GCV5P5NM6BL

GCV5P5NM6BL

国产

对比

Grecon(翠展微电子)

D2PAK

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D2PAK

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对比

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