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首页 > 品牌详情 > FET,MOSFET - 单

系列

FET通道极性

技术

漏源电压(Vdss)

连续漏极电流ID(25°C)

驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)

漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs

栅源极阈值电压(Max)@Id

栅极电荷@Vgs

栅源极电压Vgs(Max)

输入电容(Max)@Vds

FET 功能

功率耗散(Max)

工作温度范围

安装类型

封装

导通电阻@(Rdson)@10V

导通电阻@(Rdson)@4.5V

-

导通电阻@(Rdson)@2.5V

-

导通电阻@(Rdson)@1.8V

-
筛选结果: 373
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
3N187
3N187
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3N187

3N187

对比

L3Harris Technologies Inc.(L3Harris)

TO247-3

-

TO247-3

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0 pcs

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0 pcs

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1+
¥42.93
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¥42.93
HUF75333S3ST
HUF75333S3ST
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HUF75333S3ST

HUF75333S3ST

对比

L3Harris Technologies Inc.(L3Harris)

D2PAK (TO-263)

-

D2PAK (TO-263)

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0 pcs

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1+
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HUF75333S3
HUF75333S3
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HUF75333S3

HUF75333S3

对比

L3Harris Technologies Inc.(L3Harris)

D2PAK (TO-263)

-

D2PAK (TO-263)

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0 pcs

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0 pcs

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1+
¥4.08
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HUF75333P3
HUF75333P3
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HUF75333P3

HUF75333P3

对比

L3Harris Technologies Inc.(L3Harris)

TO-220-3

-

TO-220-3

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0 pcs

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0 pcs

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365+
¥5.91204
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HUF75332S3ST
HUF75332S3ST
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HUF75332S3ST

HUF75332S3ST

对比

L3Harris Technologies Inc.(L3Harris)

D²PAK (TO-263)

-

D²PAK (TO-263)

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0 pcs

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1+
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