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系列

FET通道极性

技术

-

漏源电压(Vdss)

连续漏极电流ID(25°C)

驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)

漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs

栅源极阈值电压(Max)@Id

栅极电荷@Vgs

栅源极电压Vgs(Max)

输入电容(Max)@Vds

FET 功能

-

功率耗散(Max)

工作温度范围

安装类型

封装

导通电阻@(Rdson)@10V

-

导通电阻@(Rdson)@4.5V

-

导通电阻@(Rdson)@2.5V

-

导通电阻@(Rdson)@1.8V

-
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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
FDS6375
FDS6375
温馨提示:图片仅供参考,请查阅数据手册

FDS6375

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对比

National(美国国家半导体)

8-SOIC

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8-SOIC

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CSD18503KCS
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CSD18503KCS

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对比

National(美国国家半导体)

TO-220-3

-

TO-220-3

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0 pcs

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