• 在线客服

首页 > 品牌详情 > FET,MOSFET - 单

系列

FET通道极性

技术

漏源电压(Vdss)

连续漏极电流ID(25°C)

驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)

漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs

栅源极阈值电压(Max)@Id

栅极电荷@Vgs

栅源极电压Vgs(Max)

输入电容(Max)@Vds

FET 功能

功率耗散(Max)

工作温度范围

安装类型

封装

导通电阻@(Rdson)@10V

导通电阻@(Rdson)@4.5V

导通电阻@(Rdson)@2.5V

导通电阻@(Rdson)@1.8V

-
筛选结果: 19
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
OT419Q
OT419Q
温馨提示:图片仅供参考,请查阅数据手册

OT419Q

OT419Q

国产

对比

WeEn(瑞能半导体)

TO3P3

-

TO3P3

-

-

0 pcs

-

-

0 pcs

-

-

-
OT418X
OT418X
温馨提示:图片仅供参考,请查阅数据手册

OT418X

OT418X

国产

对比

WeEn(瑞能半导体)

TO3P3

-

TO3P3

-

-

0 pcs

-

-

0 pcs

-

-

-
OT417Q
OT417Q
温馨提示:图片仅供参考,请查阅数据手册

OT417Q

OT417Q

国产

对比

WeEn(瑞能半导体)

TO3P3

-

TO3P3

-

-

0 pcs

-

-

0 pcs

-

-

-
OT416Q
OT416Q
温馨提示:图片仅供参考,请查阅数据手册

OT416Q

OT416Q

国产

对比

WeEn(瑞能半导体)

TO3P3

-

TO3P3

-

-

0 pcs

-

-

0 pcs

-

-

-
WNSCM160120W6Q
WNSCM160120W6Q
温馨提示:图片仅供参考,请查阅数据手册

WNSCM160120W6Q

WNSCM160120W6Q

国产

对比

WeEn(瑞能半导体)

TO247

-

TO247

-

-

0 pcs

-

-

0 pcs

-

-

-
对比

清空对比栏