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首页 > 品牌详情 > IGBT,MOSFET - 单

系列

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IGBT 类型

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集射极击穿电压(Max)

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集电极电流Ic(Max)

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集电极脉冲电流(Icm)

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集射极导通电压

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功率(Max)

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开关能量

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输入类型

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栅极电荷@Vgs

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25°C 时 Td(开/关)值

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测试条件

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反向恢复时间(trr)

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工作温度范围

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安装类型

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封装

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筛选结果: 5
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
FGW75N65WE-S31PPSC-P2
FGW75N65WE-S31PPSC-P2
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FGW75N65WE-S31PPSC-P2

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FUJITSU(富士通)

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FGW75N60HD-S31PPSC-P2

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FUJITSU(富士通)

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FGW60N65WE-S31PPSC-P2
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FGW60N65WE-S31PPSC-P2

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对比

FUJITSU(富士通)

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FGW50N65WD-S31PPSC-P2
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FGW50N65WD-S31PPSC-P2

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对比

FUJITSU(富士通)

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FGW50N60H-S31PP
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FGW50N60H-S31PP

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对比

FUJITSU(富士通)

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