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首页 > 品牌详情 > IGBT,MOSFET - 单

系列

IGBT 类型

集射极击穿电压(Max)

集电极电流Ic(Max)

集电极脉冲电流(Icm)

集射极导通电压

功率(Max)

开关能量

输入类型

栅极电荷@Vgs

25°C 时 Td(开/关)值

测试条件

反向恢复时间(trr)

工作温度范围

安装类型

封装

筛选结果: 1
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
DGTD65T40S1PT
DGTD65T40S1PT
温馨提示:图片仅供参考,请查阅数据手册

DGTD65T40S1PT

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国产

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Me-tech(美台高科)

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