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系列

FET通道极性

栅源击穿电压V(BR)GSS

漏源电压(Vdss)

漏极电流

漏极电流(Id)(Max)

栅源极截止电压

输入电容(Max)@Vds

导通电阻

功率(Max)

工作温度范围

安装类型

封装

栅极电荷Qg(nC)

-
筛选结果: 70
综合排序
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
MX2N5116
MX2N5116
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MX2N5116

MX2N5116

对比

Microsemi(美高森美)

TO18

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TO18

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0 pcs

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0 pcs

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MX2N5114
MX2N5114
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MX2N5114

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对比

Microsemi(美高森美)

TO18(TO206AA)

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TO18(TO206AA)

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0 pcs

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MX2N4861
MX2N4861
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MX2N4861

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对比

Microsemi(美高森美)

TO18(TO206AA)

-

TO18(TO206AA)

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0 pcs

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MX2N4860UB
MX2N4860UB
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MX2N4860UB

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对比

Microsemi(美高森美)

TO206AA

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TO206AA

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0 pcs

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MX2N4860
MX2N4860
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MX2N4860

MX2N4860

对比

Microsemi(美高森美)

TO18(TO206AA)

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TO18(TO206AA)

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0 pcs

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对比

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