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晶体管 - JFET
品牌
系列
FET通道极性
栅源击穿电压V(BR)GSS
漏源电压(Vdss)
漏极电流
漏极电流(Id)(Max)
栅源极截止电压
输入电容(Max)@Vds
导通电阻
功率(Max)
工作温度范围
安装类型
封装
栅极电荷Qg(nC)
2SK879-Y(TE85L,F)
TOSHIBA(东芝)
USM
-
0 pcs
MMBFJ310LT1G
onsemi(安森美)
SOT-23(SOT-23-3)
MMBF4391LT1G
MMBFJ175LT1G
MMBFJ112
SOT-23-3L
对比
清空对比栏