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Murata Electronics 提供的BLM_P 系列 片状铁氧体磁珠由于其低直流电阻，有利于抑制大电流电路（电源线上最大 6A 直流）中的噪声能量。与普通电感器相比，片状铁氧体磁珠由于其结构能够更好地吸收噪声，因为铁氧体材料在高频下具有高损耗。此外，BLM 系列可用于没有稳定接地连接的电路，因为该部件不需要接地。
Hirose RF同轴标准定义了U.FL系列插座的规范。这些连接器具有50.0 Ω的特性阻抗，可支持高达6.0 GHz的频率，并且其最大电压驻波比（VSWR）为1.3。它们可以承受30次的插拔循环，采用SMT焊接技术，并且中心接触件镀金，外部镀银。这些连接器的工作温度范围是-40°C到90°C。尺寸方面，连接器的长度为3.0 mm，宽度为3.1 mm，高度为1.25 mm，而配接高度为1.9 mm。这些都是根据标准产品和设计规格所定。 特征 标称配接高度为 1.9 或 2.4 毫米（最
近日，海关总署发布的数据显示，今年7月，我国集成电路出口金额985.6亿元，同比增长26.77%！ 今年前7个月，我国集成电路出口6409.1亿元，同比增长25.8%，在出口的重点商品中，增幅仅次于船舶；累计进口额同比增长14.4%，进出口累计数据已连续7个月保持双位数增长。
ERJ-2Rx系列产品是松下工业生产的广受欢迎的精密厚膜芯片电阻器，具有多种款式，但都具有很高的可靠性和可用性。该系列电阻器具有 10kOhm 电阻值和仅为 ±0.5% 的公差，可以满足大多数需要精确电流控制的项目和设备的需求。ERJ-2Rx 系列芯片电阻器可以进行回流焊接或流动焊接。利用金属凝固厚膜电阻元件和 3 个电极层，使其比以往任何时候都更加可靠。就零件的特性而言，该系列芯片电阻器可以完美地适应放大器电路、高保真音频处理和许多其他领域。 特征
AT45DB321D 是一种串行接口、顺序访问闪存 ，具有 2.5V 或 2.7V 电源电压，非常适合各种数字语音、图片、程序代码和数据存储应用。对于要求特别高速操作的应用，AT45DB321D 提供 RapidS 串行接口。对于高达 66MHz 的频率，RapidS 串行接口与 SPI 兼容。内存分为 8,192 页，每页 512 字节或 528 字节，总计 34,603,008 位。除了主内存外，AT45DB321D 还具有两个 SRAM 缓冲区，每个缓冲区 512/528 字节。这些缓冲区允许在重新编程主内
今年1月，美国国防部将禾赛科技等15家中企列入黑名单。禾赛科技5月正式起诉美国国防部，要求将其从名单移除。 日前，英国《金融时报》报道称，据多名知情人士透露，美国国防部已决定将禾赛科技从“中国军方关联公司黑名单”中移除，原因是五角大楼认为这家全球最大的电动汽车激光雷达制造商不符合被列入黑名单的法定标准。 对于这样的案例，貌似中微半导体好像学到了一点什么。
TMS320F28034PNT是一款微控制器。它专门设计用于处理传感、驱动和传感，以增强实时控制应用中闭环的性能，例如工业电机驱动、太阳能逆变器、电动汽车、数字电源和电机控制、运输以及信号的传感和处理。它包括高级性能 MCU 以及入门级性能 MCU。今天，道合顺在这里为您介绍有关#TMS320F28034PNT# 微控制器的更多相关细节。 特征
LIS3DH是一款超低功耗、高性能的三轴线性加速度计 ，属于具有数字 I2C/SPI 串行接口标准输出的“nano”系列。该设备具有超低功耗运行模式，可实现高级省电和智能嵌入式功能，同时减少封装面积并提高芯片功能。这款 3x3x1 毫米加速度传感器最适合运动感应功能、空间和功耗有限的应用，例如手机、遥控器和游戏机。 LIS3DH 具有±2g/±4g/±8g/±16g 的满量程，可由用户动态选择，并能以 1Hz 至 5
现如今电子产品的更新换代速度越来越快。然而，在我们享受这些新产品带来的便利的同时，一个不可忽视的问题也逐渐浮出水面——电子元器件的老化问题。在此，道合顺将一一阐述#电子元器件老化#的现象、原因、影响以及如何延长其使用寿命等话题。 一、电子元器件老化现象及原因 老化现象
KEMET 的 X7R 电介质最高工作温度为 125°C，且温度稳定。X7R 电介质被电子元件、组件和材料协会 (EIA) 归类为 II 类材料。固定陶瓷电介质电容器 非常适合旁路和去耦应用或频率鉴别电路，其中 Q 值和电容特性的稳定性并不重要，因此也属于此类。X7R 的电容会随着时间和电压的变化而变化，电容随环境温度的变化可以忽略不计。从 55°C 到 +125°C，电容变化限制在 15%。 特征 工作温度范围：55°C 至 +125°C
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