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原厂交期： 24W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO220F 栅源极电压Vgs(Max): ±30V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 450 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.1Ω @ 3.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 1µA 栅极电荷@Vgs: 120 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 720 pF @ 10 V FET 功能: Super Junction 功率耗散(Max): 35W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: HEXFET®
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