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类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOT-23(SOT-23-3) 栅源极电压Vgs(Max): ±12V 连续漏极电流ID(25°C): 4.2A (Ta) FET通道极性: P-Channel 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 55mOhm @ 4.2A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 9.5 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 950 pF @ 15 V 功率耗散(Max): 1.2W (Ta) 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 安装类型: Surface Mount
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