元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOT23 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 12V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 5A,4.5V(N-Channe);45mΩ @ -5A,-4.5V(P-Channe) 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 118 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1609pF FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 450W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II Plus
更多供应商
替代型号(1个)
详细参数(80%)
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
联营  | 电话：- 邮箱：- | 3-5天 | 17830 | - | 5+ ￥0.15843 20+ ￥0.14357 100+ ￥0.12872 500+ ￥0.11387 1000+ ￥0.10694 2000+ ￥0.10199 | ￥0.79215 |
