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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOIC8 栅源极电压Vgs(Max): ±25V FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 30 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V, 20V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 13mΩ @ 12A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.8V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 36 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2600 pF @ 15 V FET 功能: Schottky Diode (Body) 功率耗散(Max): 3.1W (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: *
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