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首页 > FET，MOSFET - 单 > AP10TN135H

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AP10TN135H

品牌： APEC(富鼎先进)

型号： AP10TN135H

封装： TO252(H)

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：导通电阻@(Rdson)@4.5V: 145 封装: TO252(H) 栅源极电压Vgs(Max): ±10V FET通道极性: N通道技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 100V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 61mΩ @ -2.5A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 860pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: 150℃

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供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
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	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	RM130N100HD RM130N100HD 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	RECTRON(丽正)	TO263-2	-	TO263-2 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP09T10GH AP09T10GH 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO252(H)	-	TO252(H) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AO4886-HF AO4886-HF 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	KEXIN(科信)	SOP8	-	SOP8 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP9977AGH AP9977AGH 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	APEC(富鼎先进)	TO252(H)	-	TO252(H) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP65SL600AH AP65SL600AH 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	APEC(富鼎先进)	TO252(H)	-	TO252(H) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	LM23T100V2 LM23T100V2 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	Leiditech(雷卯)	SOT23	-	SOT23 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	MTB012N10RQ8-0-T3-G MTB012N10RQ8-0-T3-G 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	CYStech Electronics Corp.(全宇昕科技股份有限公司)	SOP8	-	SOP8 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AO4486-HF AO4486-HF 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	KEXIN(科信)	SOP8	-	SOP8 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	NCE0157A NCE0157A 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	NCE(新洁能)	TO-220	-	TO-220 -	-	-	管装	0 pcs 管装 -	-
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2022-11-24 19:41:05

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封装	TO252(H)	栅源极电压Vgs(Max)	±10V	连续漏极电流ID(25°C)	-
FET通道极性	N通道	技术	MOSFET	漏源电压（Vdss）	100V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	61mΩ @ -2.5A,-1.8V	栅源极阈值电压(Max)@Id	4V@250uA
栅极电荷@Vgs	14.5nC@10V	输入电容(Max)@Vds	860pF	FET 功能	-
功率耗散(Max)	30W	工作温度范围	150℃	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	145	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	135

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