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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SO-8(M) 栅源极电压Vgs(Max): ±20.0V FET通道极性: N通道 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 30V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.1V@250μA 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 15Ω @ 0.01A,1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 380mΩ@4.5V,650mA 输入电容(Max)@Vds: 1902pF 功率耗散(Max): 150mW 工作温度范围: -55℃~150℃
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