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首页 > FET，MOSFET - 单 > AP60AN4K8J

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AP60AN4K8J

品牌： APEC(富鼎先进)

型号： AP60AN4K8J

封装： TO251(J)

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：封装: TO251(J) 栅源极电压Vgs(Max): ±10.0V FET通道极性: N通道技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1300mΩ @ -0.25A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 715pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃

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供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
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综合排序：有库存符合RoHS 价格低于原型号

	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60AN4K8IT AP60AN4K8IT 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO-220CFM-T(IT)	-	TO-220CFM-T(IT) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	CS4N60A3HDY CS4N60A3HDY 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	CR Micro(华润微)	TO251	-	TO251 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	CS10N60A0R CS10N60A0R 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	CR Micro(华润微)	TO263	-	TO263 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP01L60J AP01L60J 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO251(J)	-	TO251(J) -	-	-	-	0 pcs - -	-
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温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60AN1K3J AP60AN1K3J 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO251(J)	-	TO251(J) -	-	-	-	0 pcs - -	-
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封装	TO251(J)	栅源极电压Vgs(Max)	±10.0V	连续漏极电流ID(25°C)	-
FET通道极性	N通道	技术	MOSFET	漏源电压（Vdss）	600V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	1300mΩ @ -0.25A,-1.8V	栅源极阈值电压(Max)@Id	4V@250uA
栅极电荷@Vgs	14.5nC@10V	输入电容(Max)@Vds	715pF	FET 功能	-
功率耗散(Max)	30W	工作温度范围	-55℃~150℃	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	-	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	4800

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