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首页 > FET，MOSFET - 单 > AP60AN650I

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AP60AN650I

品牌： APEC(富鼎先进)

型号： AP60AN650I

封装： TO-220CFM(I)

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：封装: TO-220CFM(I) 栅源极电压Vgs(Max): 20V FET通道极性: N通道技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 80mΩ @ -2.6A,-4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 700pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+150℃

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详细参数(60%)

供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
自营	电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn	-	-	-	-

全部 ST(意法半导体) INFINEON(英飞凌) onsemi(安森美) KIOXIA(铠侠) AOS(万代) VISHAY(威世) CR Micro(华润微) TSC(台半) APEC(富鼎先进) ROHM(罗姆) RENESAS(瑞萨) Central(Central)

全部中国中国台湾日本美国德国瑞士

综合排序：有库存符合RoHS 价格低于原型号

	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）	合计（含税）
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	TSM60N380CH C5G TSM60N380CH C5G 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	TSC(台半)	TO251(IPAK)	-	TO251(IPAK) -	-	-	-	0 pcs - -	15000+ ￥6.15536 展开收起	￥6.15536
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	TSM60N380CZ TSM60N380CZ 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	TSC(台半)	TO220	-	TO220 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60SL115DI AP60SL115DI 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO-220CFM(I)	-	TO-220CFM(I) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP03N70I AP03N70I 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO-220CFM(I)	-	TO-220CFM(I) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60SL300AFI AP60SL300AFI 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO-220CFM(I)	-	TO-220CFM(I) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	TSM60N380CP TSM60N380CP 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	TSC(台半)	TO252	-	TO252 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	TSM60N380CI C0G TSM60N380CI C0G 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	TSC(台半)	ITO220AB	-	ITO220AB -	-	-	-	0 pcs - -	4000+ ￥7.52811 展开收起	￥7.52811
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	TSM60N380CH TSM60N380CH 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	TSC(台半)	TO251	-	TO251 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60SL280AI AP60SL280AI 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO-220CFM(I)	-	TO-220CFM(I) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	HPI600R380PC-G HPI600R380PC-G 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	CR Micro(华润微)	TO262	-	TO262 -	-	-	-	0 pcs - -	-

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2022-11-24 19:41:05

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封装	TO-220CFM(I)	栅源极电压Vgs(Max)	20V	连续漏极电流ID(25°C)	-
FET通道极性	N通道	技术	MOSFET	漏源电压（Vdss）	600V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	80mΩ @ -2.6A,-4.5V	栅源极阈值电压(Max)@Id	4V@250uA
栅极电荷@Vgs	14.5nC@10V	输入电容(Max)@Vds	700pF	FET 功能	-
功率耗散(Max)	30W	工作温度范围	-55℃~+150℃	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	-	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	650

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