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首页 > FET，MOSFET - 单 > AP60SL650AFH

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AP60SL650AFH

品牌： APEC(富鼎先进)

型号： AP60SL650AFH

封装： TO252(H)

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：封装: TO252(H) 栅源极电压Vgs(Max): ±30.0V FET通道极性: N通道技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 35mΩ @ -6A,-4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 500.0pF @ 600.0V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃

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供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
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	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60PN72REN AP60PN72REN 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	APEC(富鼎先进)	SOT23(N)	-	SOT23(N) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60SC280DH AP60SC280DH 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO252(H)	-	TO252(H) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP60AN2K3H AP60AN2K3H 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO252(H)	-	TO252(H) -	-	-	-	0 pcs - -	-
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封装	TO252(H)	栅源极电压Vgs(Max)	±30.0V	FET通道极性	N通道
技术	MOSFET	漏源电压（Vdss）	600V	驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-
漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	35mΩ @ -6A,-4.5V	栅源极阈值电压(Max)@Id	4V@250uA	栅极电荷@Vgs	14.5nC@10V
输入电容(Max)@Vds	500.0pF @ 600.0V	FET 功能	-	功率耗散(Max)	30W
工作温度范围	-55℃~150℃	安装类型	-	系列	-

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