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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 110 封装: SOT223(K) 栅源极电压Vgs(Max): ±20.0V 连续漏极电流ID(25°C): 4.1 FET通道极性: N通道 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 60V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 5A,4.5V(N-Channe);45mΩ @ -5A,-4.5V(P-Channe) 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 2557.0pF @ 30.0V 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃
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