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首页 > FET，MOSFET - 单 > AP9561GH

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AP9561GH

品牌： APEC(富鼎先进)

型号： AP9561GH

封装： TO252(H)

量产：量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： FET，MOSFET - 单

描述：导通电阻@(Rdson)@4.5V: 28 封装: TO252(H) 栅源极电压Vgs(Max): ±30.0V FET通道极性: P通道技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: -40V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 35mΩ @ -6A,-4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 160pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+150℃

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详细参数(65%)

供应商名称	联系方式	货期	库存	批次	价格（含税）	数量&价格(含税)	操作
自营	电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn	-	-	-	1+ ￥2.41

全部 Leiditech(雷卯) TSC(台半) Winsok(微硕) APEC(富鼎先进) Prisemi(芯导电子) GOODARK(好方舟电子) KEXIN(科信) Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派) Zhangjiagang Kaisi Semiconductor Co.,Ltd.(张家港凯思半导体有限公司) BlueRocket(蓝箭) GUILIN STRONG MICRO ELECTRONICS CO.,LTD.(桂林斯壮微电子有限责任公司) YANGJIE(扬杰科技) NCE(新洁能) CYStech Electronics Corp.(全宇昕科技股份有限公司) Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

全部中国中国台湾

综合排序：有库存符合RoHS 价格低于原型号

	型号	品牌	封装	描述	封装/描述	货期	批次	包装	库存/包装/批次	价格（含税）
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	NCE40P05S NCE40P05S 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	NCE(新洁能)	SOP-8	-	SOP-8 -	-	-	编带	0 pcs 编带 -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	BRCS150P04SC BRCS150P04SC 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	BlueRocket(蓝箭)	SOP8	-	SOP8 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	CSP40P150 CSP40P150 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	Zhangjiagang Kaisi Semiconductor Co.,Ltd.(张家港凯思半导体有限公司)	SOP8	-	SOP8 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	PPMDP40V70 PPMDP40V70 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	Prisemi(芯导电子)	TO252	-	TO252 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	WSD4018DN22 WSD4018DN22 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	Winsok(微硕)	DFN2*2-6	-	DFN2*2-6 -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	MTB15P04FP-0-UB-S MTB15P04FP-0-UB-S 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	CYStech Electronics Corp.(全宇昕科技股份有限公司)	TO220FP	-	TO220FP -	-	-	-	0 pcs - -	-
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温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP9120GH AP9120GH 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度76% 对比	APEC(富鼎先进)	TO252(H)	-	TO252(H) -	-	-	-	0 pcs - -	-
温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册	AP9561GJ AP9561GJ 国产 \| 非PIN TO PIN \| 相似度88% 对比	APEC(富鼎先进)	TO251(J)	-	TO251(J) -	-	-	-	0 pcs - -	-

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封装	TO252(H)	栅源极电压Vgs(Max)	±30.0V	连续漏极电流ID(25°C)	-
FET通道极性	P通道	技术	MOSFET	漏源电压（Vdss）	-40V
驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On)	-	漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs	35mΩ @ -6A,-4.5V	栅源极阈值电压(Max)@Id	4V@250uA
栅极电荷@Vgs	14.5nC@10V	输入电容(Max)@Vds	160pF	FET 功能	-
功率耗散(Max)	30W	工作温度范围	-55℃~+150℃	安装类型	-
系列	-	导通电阻@(Rdson)@4.5V	28	导通电阻@(Rdson)@2.5V	-
导通电阻@(Rdson)@1.8V	-	导通电阻@(Rdson)@10V	16

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