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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 导通电阻@(Rdson)@4.5V: 120 封装: TO252(H) 栅源极电压Vgs(Max): ±8.0V FET通道极性: P通道 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: -60V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 60mΩ @ -2.0A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 4700pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃
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