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APT20GT60BRDQ1G

品牌: Microsemi(美高森美)

型号: APT20GT60BRDQ1G

封装: TO247 [B]

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: 29W

类别: IGBT,MOSFET - 单

描述: 封装: TO247 [B] 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 600 V IGBT 类型: NPT 集电极电流Ic(Max): 43 A 集电极脉冲电流(Icm): 80 A 集射极导通电压: 2.5V @ 15V, 20A 功率(Max): 174 W 开关能量: 215µJ (on), 245µJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 100 nC 测试条件: 400V, 20A, 5Ω, 15V 反向恢复时间(trr): 60 ns 工作温度范围: -55℃~150℃ 系列: Thunderbolt IGBT®

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