• 在线客服

首页 > IGBT,MOSFET - 单 > APT50GS60BRDQ2G
图片仅供参考,请查阅数据手册

APT50GS60BRDQ2G

品牌: MICROCHIP(微芯)

型号: APT50GS60BRDQ2G

封装: TO-247 [B]

量产: 量产中

原厂交期: -

类别: IGBT,MOSFET - 单

描述: 封装: TO-247 [B] 安装类型: Through Hole 集射极击穿电压(Max): 600 V IGBT 类型: NPT 集电极电流Ic(Max): 93 A 集电极脉冲电流(Icm): 195 A 集射极导通电压: 3.15V @ 15V, 50A 功率(Max): 415 W 开关能量: 755µJ (off) 输入类型: Standard 栅极电荷@Vgs: 235 nC 25°C 时 Td(开/关)值: 16ns/225ns 测试条件: 400V, 40A, 4.7Ohm, 15V 反向恢复时间(trr): 25 ns 工作温度范围: -55°C ~ 150°C (TJ) 系列: Thunderbolt IGBT®

  • 更多供应商

  • 替代型号(0个)

  • 详细参数(100%)

供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格(含税) 数量&价格(含税) 操作
自营

电话:0755-82781085

邮箱:juwei.hu@infinitech.cn

- - -

1+ ¥91.78075

暂无数据

对比

清空对比栏