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APTM10DDAM09T3G

品牌: Microsemi(美高森美)

型号: APTM10DDAM09T3G

封装: SP3

量产: 停产

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 阵列

描述: 封装: SP3 安装类型: Chassis Mount 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流ID(25°C): 139A FET 功能: Standard 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 10mΩ @ 69.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 2.5mA 栅极电荷@Vgs: 350nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 9875pF @ 25V 功率(Max): 390W 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual)

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