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APTM10DDAM09T3G

品牌: Microsemi(美高森美)

型号: APTM10DDAM09T3G

封装: SP3

量产: 停产

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 阵列

描述: 封装: SP3 安装类型: Chassis Mount 漏源电压(Vdss): 100V 连续漏极电流ID(25°C): 139A FET 功能: Standard 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 10mΩ @ 69.5A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 2.5mA 栅极电荷@Vgs: 350nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 9875pF @ 25V 功率(Max): 390W 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual)

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SIX3134KA-TP
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SIX3134KA-TP

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MCC(美微科)

SOT563

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MCS8804-TP
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MCS8804-TP

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度65%

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MCC(美微科)

TSSOP8

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DMT10H017LPD-13
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DMT10H017LPD-13

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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Me-tech(美台高科)

PowerDI5060-8

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ZXMN10A08DN8TC
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ZXMN10A08DN8TC

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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Me-tech(美台高科)

SO8

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MCQD05N06-TP
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MCQD05N06-TP

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度65%

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MCC(美微科)

SOP8

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ZXMN10A08DN8TA
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ZXMN10A08DN8TA

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

对比

Me-tech(美台高科)

SO8

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IXYS(艾赛斯)

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BSC750N10NDGATMA1

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INFINEON(英飞凌)

PG-TDSON-8-4

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APTM100VDA35T3G
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APTM100VDA35T3G

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非PIN TO PIN | 相似度76%

对比

Microsemi(美高森美)

SP3

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FDMD82100L
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FDMD82100L

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非PIN TO PIN | 相似度76%

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onsemi(安森美)

12-Power3.3*5

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