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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: SP6-P 安装类型: Chassis Mount 漏源电压（Vdss）: 1200V (1.2kV) FET 功能: Silicon Carbide (SiC) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 33mΩ @ 60A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 3mA (Typ) 栅极电荷@Vgs: 148nC @ 20V 输入电容(Max)@Vds: 2850pF @ 1000V 功率(Max): 370W 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 6 N-Channel (3-Phase Bridge)
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