元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 阵列
描述： 封装: Module 安装类型: Chassis Mount 漏源电压（Vdss）: 1200V (1.2kV) 连续漏极电流ID(25°C): 337A (Tc) FET 功能: Silicon Carbide (SiC) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 11mΩ @ 180A, 20V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 9mA 栅极电荷@Vgs: 1224nC @ 20V 输入电容(Max)@Vds: 23000pF @ 1000V 功率(Max): 2140W 工作温度范围: -40℃~175℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual), Schottky
更多供应商
替代型号(13个)
详细参数(92%)
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - |
-
| |
