元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO251 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 900V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 265mΩ @ 9A,10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 2819pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~+150℃
更多供应商
替代型号(1个)
详细参数(75%)
品牌：
全部
Leiditech(雷卯)
国别/地区：
全部
中国
综合排序： 价格
| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | PIN TO PIN | 相似度100%
对比
| DFN1610-2 | - | DFN1610-2 - | - | 0 pcs | - | 编带 | 0 pcs 编带 - | 1+ ￥0.7901 | ￥0.7901 |
