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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO-220CFM(I) 栅源极电压Vgs(Max): ±8V FET通道极性: N通道 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 600V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 5A,4.5V(N-Channe);45mΩ @ -5A,-4.5V(P-Channe) 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 118 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 2403pF FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 450W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II Plus
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详细参数(100%)
品牌：
全部
onsemi(安森美)
CREE(科锐)
国别/地区：
全部
美国
综合排序： 价格
| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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对比
| TO-247 | - | TO-247 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥174.61 | ￥174.61 | |
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对比
| TO247-3 | - | TO247-3 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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