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首页 > 双极 (BJT) - 阵列 > BC856S,115
图片仅供参考，请查阅数据手册

BC856S,115

品牌： Nexperia(安世半导体)

型号： BC856S,115

封装： SOT363

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： -

类别： 双极 (BJT) - 阵列

描述： 封装: SOT363 集电极电流Ic(Max): -100 集射极击穿电压(Max): -65 晶体管类型: PNP 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: -300mV 直流电流增益(Min): 110 功率(Max): 300mW 截止频率: 100MHz

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