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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: PG-TDSON-8 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET(金属氧化物) 漏源电压(Vdss): 60 伏 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V、10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 2.8mΩ @ 50A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.2V @ 93µA 栅极电荷@Vgs: 175 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 13000 pF @ 30 V 功率耗散(Max): 2.5W (Ta), 139W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: OptiMOS™
供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格(含税) | 数量&价格(含税) | 操作 |
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