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原厂交期： 39W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: PG-SOT23 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 230mA (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 60 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 3.5Ω @ 230mA, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1.4V @ 26µA 栅极电荷@Vgs: 1.4 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 41 pF @ 25 V 功率耗散(Max): 360mW (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: SIPMOS™
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