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原厂交期: -
类别: FET,MOSFET - 单
描述: 封装: D2PAK 栅源极电压Vgs(Max): 2.3V 连续漏极电流ID(25°C): 100 FET通道极性: N-Channel 技术: Si 漏源电压(Vdss): 55 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.3 栅极电荷@Vgs: 82 输入电容(Max)@Vds: 3870 功率耗散(Max): 158 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: SMD/SMT
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