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首页 > 固定值电感器 > CIGT201610LM1R0MNE
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1µH ±20% 2.4A 72mΩ Max

品牌: SAMSUNG(三星)

型号: CIGT201610LM1R0MNE

封装: 0806

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: 固定值电感器

描述: 封装: 0806 电感: 1µH 容差: ±20% 额定电流: 2.4A 饱和电流: 3.3A 直流电阻DCR(Max): 72mΩ Max Q值@Freq: 45 @ 7.9MHz 自振频率: 75MHz 电感测试频率: 1 MHz 工作温度范围: -40℃~125℃ 磁芯材料: Metal Composite 类型: Thin Film 安装类型: Surface Mount 大小/尺寸: 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) 安装高度(Max): 0.039" (1.00mm) 屏蔽: Unshielded 等级: AEC-Q200 系列: CIGT

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HTEH20161T-1R0MSR
HTEH20161T-1R0MSR
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1µH ±20% 4.3A 36mΩ Max

HTEH20161T-1R0MSR

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度82%

对比

DELTA(台达)

0806 (2016 Metric)

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0806 (2016 Metric)

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HMLE20161T-1R0MDR
HMLE20161T-1R0MDR
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1µH ±20% 3.1A 65mΩ Max

HMLE20161T-1R0MDR

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度82%

对比

DELTA(台达)

0806

-

0806

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HMLQ20161T-1R0MDR
HMLQ20161T-1R0MDR
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1µH ±20% 3.2A 59mΩ Max

HMLQ20161T-1R0MDR

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度82%

对比

DELTA(台达)

0806

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HMLQ20160H-1R0MDR
HMLQ20160H-1R0MDR
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1µH ±20% 2.7A 96mΩ Max

HMLQ20160H-1R0MDR

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度82%

对比

DELTA(台达)

0806

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SDED20161T-1R0MS
SDED20161T-1R0MS
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1µH ±20% 1.7A 107mΩ Max

SDED20161T-1R0MS

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度82%

对比

DELTA(台达)

0806

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0806

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BDHE002016101R0MQ1
BDHE002016101R0MQ1
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1µH ±20% 3.1A 65mΩ Max

BDHE002016101R0MQ1

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度82%

对比

Chilisin(奇力新)

0806

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编带

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1+
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MWLA0624S-1R0MT
MWLA0624S-1R0MT
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1µH ±20% 10A 13.5mΩ Max

MWLA0624S-1R0MT

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度65%

对比

Sunlord(顺络)

Nonstandard

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1+
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¥8.94015
MWLA1707S-1R0MT
MWLA1707S-1R0MT
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1µH ±20% 52A 2mΩ Max

MWLA1707S-1R0MT

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度65%

对比

Sunlord(顺络)

Nonstandard

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Nonstandard

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1+
¥17.73611
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¥17.73611
WPN4012H1R0MTY01
WPN4012H1R0MTY01
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1µH ±20% 3.6A 49mΩ Max

WPN4012H1R0MTY01

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度65%

对比

Sunlord(顺络)

Nonstandard

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Nonstandard

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1+
¥0.52625
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¥0.52625
SPH201610UR68MT
SPH201610UR68MT
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680nH ±20% 2.05A 72mΩ Max

SPH201610UR68MT

国产 | 非PIN TO PIN | 相似度67%

对比

Sunlord(顺络)

SMD,2x1.6x1mm

-

SMD,2x1.6x1mm

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