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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO263 栅源极电压Vgs(Max): ±10V 连续漏极电流ID(25°C): 80A FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 68V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 61mΩ @ -2.5A,-1.8V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 4496pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: 150℃
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