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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO252 栅源极电压Vgs(Max): ±30.0V 连续漏极电流ID(25°C): 9A FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 200V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 41mΩ @ 5A,4.5V(N-Channe);45mΩ @ -5A,-4.5V(P-Channe) 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V@250uA 栅极电荷@Vgs: 14.5nC@10V 输入电容(Max)@Vds: 673pF 功率耗散(Max): 30W 工作温度范围: -55℃~150℃
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