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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO251 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 7A FET通道极性: N Channel 技术: MOSFET 漏源电压（Vdss）: 650V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 69mΩ @ 3A,2.5V(N-Channe);131mΩ @ -2A,-2.5V(P-Channe) 栅源极阈值电压(Max)@Id: 4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 118 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 1130pF FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 450W (Tc) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Through Hole 系列: MDmesh™ II Plus
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| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
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