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原厂交期： 35W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO220-3 栅源极电压Vgs(Max): ±20V 连续漏极电流ID(25°C): 129 FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 80 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 6.6mΩ @ 60A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3.2V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 50 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 3980 pF @ 40 V 功率耗散(Max): 217W (Tc) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Through Hole 系列: NexFET™
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自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | 当日发货 | 4 | 老批次 | 1+ ￥12.43 | ￥12.43 |
