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描述： 封装: SOT563 集电极电流Ic(Max): 100mA 晶体管类型: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 集射极击穿电压(Max): 50V 基级电阻(R1): 10kΩ 发射-基极电阻(R2): 10kΩ, 47kΩ 直流电流增益(Min): 35 @ 5mA, 5V / 80 @ 5mA, 5V 饱和电压(Vce)(Max)@Ib,Ic: 250mV @ 300µA, 10mA 集电极截止电流(Max): 500nA 截止频率: 250MHz 功率(Max): 150mW 系列: *
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