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DMG1012T-7

品牌: DIODES(美台)

型号: DMG1012T-7

封装: SOT-523

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: SOT-523 栅源极电压Vgs(Max): ±6V 连续漏极电流ID(25°C): 630mA FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压(Vdss): 20V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 400mΩ @ 600mA, 4.5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 1V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 0.74 nC @ 4.5 V 输入电容(Max)@Vds: 60.67 pF @ 16 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 280mW (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: OptiMOS™

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