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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: SOT363 连续漏极电流ID(25°C): 1A FET通道极性: 2 N-Channel (Dual) 漏源电压（Vdss）: 30V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 190mΩ @ 1.3A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.8V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 2nC @ 10V 输入电容(Max)@Vds: 87pF @ 20V FET 功能: Logic Level Gate 功率耗散(Max): 320mW 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount
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