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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: U-DFN2020-6 (Type E) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: N-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 20mΩ @ 8A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.4V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 19.1 nC @ 20 V 输入电容(Max)@Vds: 1060 pF @ 20 V FET 功能: Schottky Diode (Isolated) 功率耗散(Max): 660mW (Ta) 工作温度范围: -55℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
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