• 在线客服

首页 > FET,MOSFET - 阵列 > DMN61D8LVTQ-13
图片仅供参考,请查阅数据手册

DMN61D8LVTQ-13

品牌: Me-tech(美台高科)

型号: DMN61D8LVTQ-13

封装: TSOT23

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: -

类别: FET,MOSFET - 阵列

描述: 封装: TSOT23 安装类型: Surface Mount 漏源电压(Vdss): 60V FET 功能: Logic Level Gate 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 1.8Ω @ 150mA, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 0.74nC @ 5V 输入电容(Max)@Vds: 12.9pF @ 12V 功率(Max): 820mW 工作温度范围: -55℃~150℃ FET通道极性: 2 N-Channel (Dual)

  • 更多供应商

  • 替代型号(100个)

  • 详细参数(100%)

供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格(含税) 数量&价格(含税) 操作
自营

电话:0755-82781085

邮箱:juwei.hu@infinitech.cn

- - -
-

暂无数据

对比

清空对比栏