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原厂交期： 53W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: TO252(DPAK) 栅源极电压Vgs(Max): ±20V FET通道极性: P-Channel 技术: MOSFET (Metal Oxide) 漏源电压（Vdss）: 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 15mΩ @ 10A, 10V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 3V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 67 nC @ 10 V 输入电容(Max)@Vds: 4004 pF @ 20 V FET 功能: Depletion Mode 功率耗散(Max): 2.1W (Ta) 工作温度范围: -55℃~175℃ 安装类型: Surface Mount 系列: Automotive, AEC-Q101
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