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EPC2012C

品牌： Efficient Power Conversion Corporation.(EPC)

型号： EPC2012C

封装： Die Outline (4-Solder Bar)

量产： 量产中

数据手册

原厂交期： 10W

类别： FET，MOSFET - 单

描述： 封装: Die Outline (4-Solder Bar) 栅源极电压Vgs(Max): +6V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 5A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压（Vdss）: 200 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 100mΩ @ 3A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 1.3 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 140 pF @ 100 V 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: eGaN®

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供应商名称 联系方式 货期 库存 批次 价格（含税） 数量&价格(含税) 操作
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电话：0755-82781085

邮箱：juwei.hu@infinitech.cn

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1+ ￥69
品牌：
全部 Littelfuse(力特) MICROCHIP(微芯) ST(意法半导体) INFINEON(英飞凌) onsemi(安森美) IXYS(艾赛斯) VISHAY(威世) Efficient Power Conversion Corporation.(EPC) CR Micro(华润微) FM(富满微) Leiditech(雷卯) TSC(台半) Winsok(微硕) Prisemi(芯导电子) GOODARK(好方舟电子) KEXIN(科信) Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派) Zhangjiagang Kaisi Semiconductor Co.,Ltd.(张家港凯思半导体有限公司) Meled(美莱) BlueRocket(蓝箭) YANGJIE(扬杰科技) NCE(新洁能) Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司) ROHM(罗姆) RENESAS(瑞萨) Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司) TOSHIBA(东芝) Fairchild(仙童)
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国别/地区：
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综合排序： 价格
型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格（含税） 合计（含税）
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KEXIN(科信)

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NCE(新洁能)

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FM(富满微)

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TSC(台半)

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BlueRocket(蓝箭)

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CR Micro(华润微)

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GOODARK(好方舟电子)

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KEXIN(科信)

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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Truesemi Co ., Ltd.(深圳市信安半导体有限公司)

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GOODARK(好方舟电子)

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