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EPC2014C

品牌: Efficient Power Conversion Corporation.(EPC)

型号: EPC2014C

封装: Die Outline (5-Solder Bar)

量产: 量产中

数据手册

原厂交期: 10W

类别: FET,MOSFET - 单

描述: 封装: Die Outline (5-Solder Bar) 栅源极电压Vgs(Max): +6V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 10A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压(Vdss): 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 16mΩ @ 10A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 2mA 栅极电荷@Vgs: 2.5 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 300 pF @ 20 V FET 功能: Current Sensing 功率耗散(Max): 110W (Tc) 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: eGaN®

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型号 品牌 封装 描述 封装/描述 货期 库存 批次 包装 库存/包装/批次 价格(含税) 合计(含税)
MCAC90N04-TP
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MCAC90N04-TP

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MCC(美微科)

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AO4484

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KEXIN(科信)

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KEXIN(科信)

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KEXIN(科信)

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NCE(新洁能)

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CR Micro(华润微)

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TSC(台半)

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Force-MOS Technology Co.,Ltd(力士科技股份有限公司)

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HPD650R900DN
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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

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CR Micro(华润微)

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SW60N04V

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国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%

对比

Semipower Electronic Technology Co.,Ltd.(芯派)

DFN8

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