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原厂交期： -
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: Die 栅源极电压Vgs(Max): +6V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 16A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压（Vdss）: 40 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 5mΩ @ 15A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 6mA 栅极电荷@Vgs: 7.6 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 805 pF @ 20 V 功率耗散(Max): 190W (Tc) 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: eGaN®
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