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品牌: Efficient Power Conversion Corporation.(EPC)
型号: EPC2108
封装: BGA9(1.35*1.35)
量产: 量产中
数据手册原厂交期: 10W
类别: FET,MOSFET - 阵列
描述: 封装: BGA9(1.35*1.35) 安装类型: Surface Mount 漏源电压(Vdss): 60V, 100V 连续漏极电流ID(25°C): 1.7A, 500mA FET 功能: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 190mΩ @ 2.5A, 5V, 3.3Ω @ 2.5A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 100µA, 2.5V @ 20µA 栅极电荷@Vgs: 0.22nC @ 5V, 0.044nC @ 5V 输入电容(Max)@Vds: 22pF @ 30V, 7pF @ 30V 功率(Max): 2.5W 工作温度范围: -40℃~150℃ FET通道极性: 3 N-Channel (Half Bridge + Synchronous Bootstrap)
型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格(含税) | 合计(含税) | |
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非PIN TO PIN | 相似度88%
对比
| BGA9(1.35*1.35) | - | BGA9(1.35*1.35) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ¥6.66 | ¥6.66 |