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原厂交期： 12W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: Die 栅源极电压Vgs(Max): +6V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 3.4A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压（Vdss）: 15 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 26mΩ @ 1.5A, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 1mA 栅极电荷@Vgs: 1.1 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 118 pF @ 7.5 V FET 功能: Standard 功率耗散(Max): 78W (Tc) 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: Automotive, AEC-Q101, eGaN®
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 描述 | 封装/描述 | 货期 | 库存 | 批次 | 包装 | 库存/包装/批次 | 价格（含税） | 合计（含税） | |
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 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| SOP8 | - | SOP8 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
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| X2-DFN1010-3 | - | X2-DFN1010-3 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| SOT23-3 | - | SOT23-3 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| X2-DFN2020-6 | - | X2-DFN2020-6 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| X2-DFN1010-3 | - | X2-DFN1010-3 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 国产 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
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| X2-DFN2020-6 | - | X2-DFN2020-6 - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| Die | - | Die - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥31.13 | ￥31.13 | |
| 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
对比
| Die | - | Die - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥31.88 | ￥31.88 | |
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| Die Outline (4-Solder Bar) | - | Die Outline (4-Solder Bar) - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - | 1+ ￥69 | ￥69 | |
 温馨提示:图片仅供参考，请查阅数据手册 | 非PIN TO PIN | 相似度76%
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| Die | - | Die - | - | 0 pcs | - | - | 0 pcs - - |
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