元器件分类 
易采购
替代Bom
AI大数据平台
供应商入驻
成品拆解
行业快报
在线客服
图片仅供参考，请查阅数据手册
原厂交期： 10W
类别： FET，MOSFET - 单
描述： 封装: Die 栅源极电压Vgs(Max): +6V, -4V 连续漏极电流ID(25°C): 2A (Ta) FET通道极性: N-Channel 技术: GaNFET (Gallium Nitride) 漏源电压（Vdss）: 65 V 驱动电压@(Max Rds On, Min Rds On): 5V 漏源极导通电阻(Max)@Id,Vgs: 530mΩ @ 500mA, 5V 栅源极阈值电压(Max)@Id: 2.5V @ 250µA 栅极电荷@Vgs: 4 nC @ 5 V 输入电容(Max)@Vds: 21 pF @ 32.5 V 工作温度范围: -40℃~150℃ 安装类型: Surface Mount 系列: eGaN®
更多供应商
替代型号(100个)
详细参数(70%)
| 供应商名称 | 联系方式 | 货期 | 库存 | 批次 | 价格（含税） | 数量&价格(含税) | 操作 |
自营  | 电话：0755-82781085 邮箱：juwei.hu@infinitech.cn | - | - | - | 1+ ￥10.95 | |
